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磁控濺射真空鍍膜機鍍制薄膜,均勻性是一項重要指標,因此研究影響磁控濺射均勻性的影響因素,能更好的實現磁控濺射均勻鍍膜。簡單的說磁控濺射就是在正交的電磁場中,閉合的磁場束縛電子圍繞靶面做螺旋運動,在運動過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子,氬離子在電場作用下加速轟擊靶材,濺射出靶原子離子(或分子)沉積在基片上形成薄膜。所以要實現均勻的鍍膜,就需要均勻的濺射出靶原子離子(或分子),這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻轟擊的。由于氬離子是在電場作用下加速轟擊靶材,所以要求電場均勻。而氬離子來源于閉合的磁場束縛的電子在運動中不斷撞擊形成,這就要求磁場均勻和氬氣分布均勻。但是實際的磁控濺射裝置中,這些因素都是很難完全絕對的均勻,這就有必要研究他們不均勻對成膜均勻性的影響。實際上磁場的均勻性和工作氣體的均勻性是影響成膜均勻性的最主要因素。磁場大的位置膜厚,反之膜薄,磁場方向也是影響均勻性的重要因素。氣壓方面,在一定氣壓條件下,氣壓大的位置膜厚,反之膜薄。